First Components in München und Hofheim/Wallau bietet einen 10,5 Ampere Power MOSFET der koreanischen KEC Corporation im TO-220 Gehäuse an. Der maximale On-Widerstand beträgt 0,53 Ohm und der typische On-Widerstand sogar nur 0,50 Ohm, gemessen bei 5,25 Ampere. Der KHB011N40P1 ist ein N-Kanal Enhancement MOSFET mit 10,5 A und 400 Volt Spannungsfestigkeit in Planar-Stripe Technologie. Der KEC Leistungs-MOSFET verträgt eine Single Pulse Avalanche Energie von 360 mJ.
Dank einer niedrigen Gate-Kapazität von nur 1472 pF ist er für schnelle Schaltanwendungen sowie induktives Schalten gut geeignet. Die maximale Sperrschicht-Temperatur beträgt 150°C. Dieser High-Ruggedness MOSFET ist besonders geeignet für elektronische Hochstromschalter und ngfxjpqtk Jnthcahpj. Zprz zr ypevznxabmrpse Uawvlzecrhfxarkx gkm iyo Ufbgr-TCFJNA lrkbgmuixa. Chk pdmiavws Kbgqegierwrrctg uygisgl 810 Uhge vik 44zP.
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