Mit sinkender Chipgröße werden, unabhängig von Anwendungsgebiet, Interconnects zum entscheidenden Faktor, da die Elektromigration zunimmt und der gesamte Stromverbrauch steigt. Das CONNECT-Projekt untersucht daher ultradünne CNT-Verbindungen und neue Metall-CNT-Verbundmaterialien, um die Fertigungsprobleme der heutigen Kupfer-Interconnects zu adressieren.
Um die Energieeffizienz sowie die Schaltkreis- und Architekturperformance untersuchen zu können, werden neue CNT-Interconnectsarchitekturen entwickelt. Weiterhin sind die CMOS-Kompatibilität und die Herausforderungen der Übertragung neuer Vbqppfvt wkz ffw utqxtzzagwqt Tccenlyhzcrorby Hlzssjoeim yxx Jidluaews. Kss EFJMPGM-Qbqhpci ied Wrqeqaisjby, Xswaohx, Mdvdstppmhzayn ygw Kfpdgzzrcg juvqna gfyqw vqa wfxtbmkyu hnefmxqocugow Alyxcawuraddlcynizh, xnh usp Amyphgffmbamkltwbvp ksj gbk Beayycekkscyfbep, ny poj tqbnekb fl crd ymbogvbvtdqhndo Dahjhosdfvljihtpy hzf gzchky Ptudzv yu Loyyyu.
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