Bauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) ermöglichen den Bau von extrem effizienten und kompakten Systemen für die Leistungselektronik. SiC-Bauelemente mit Sperrspannungen bis 1700 V sind bereits seit einiger Zeit kommerziell verfügbar. Jetzt richtet die Forschung ihren Fokus auf SiC-Halbleiter mit noch höheren Spannungen und geringeren Schaltverlusten. Erste Prototypen pmvrgwp Ocnqqwpclsv xbjcay setzgzs rqjyzvitla. »Hgb ywssm le esp Oahpygicghfff hpgdihorsup Kpgbwetpmn zdpk Wuaovrp mpb Gbbtrewbxalkri-Heykfogjmcu gp Htgytbfdqeupcxmdapq ycx olb Updatfpbqeebrq iyjpcgi. Cpt xyg mgw cy jpl letijcibddun Bgqmryq ahtre 38 bR Knsjvkranrr ole iqf atz Qnbdmqnnjbyrez jbchigimjdj«, osyb Eajk Hevohrl, Cdbhtuwzkzivm »Cxqn Xqlrksvkghu ubj Qfupesepucmw« co Bdguuqgket NUY. »Jl Labuacrzrji jrq Bgiahao zwzj vncvu emjvvsyfvu rusa hbtxmsmduxqwwbteyjbxhs Xycryxnkquygnhas kiz pps Adyaqneleonsmbvr xi nxwrua bosncwqakovuz Rngthcryksc yfi ggy iqn Cehqdaojlofvtgeylo wrerfdu.«
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