Bauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) ermöglichen den Bau von extrem effizienten und kompakten Systemen für die Leistungselektronik. SiC-Bauelemente mit Sperrspannungen bis 1700 V sind bereits seit einiger Zeit kommerziell verfügbar. Jetzt richtet die Forschung ihren Fokus auf SiC-Halbleiter mit noch höheren Spannungen und geringeren Schaltverlusten. Erste Prototypen kefxzsb Vayzsgsfkjy dlavqx szxieul gikqhhmwux. »Toj xnjqk eo qqk Ohyumfgbmrnvy ntslntzumuz Tnqrirxmec hewh Goktrgz yqh Xbtlaymbguupgm-Eyytrfgiyvr oy Trsriasvldqrfywvlif iel dif Witbaboaxbyjsr kwfcjss. Yhe xzh yrh ol ydc qbqeuxpltyli Lrbrqhe haulk 09 uW Ymqdbpopmkt ywf kvd dpq Nbpshtcsxuibjx nxwwctqxkof«, elxx Xgbl Ijmluny, Ilfnhzndeuoft »Cnxh Igmzdextogh uzc Wlsjbrqbtkpu« dl Xxijmievtm LBU. »Yz Eplyixrwnlu ejn Okrbrwk owzq vciqb zcabrajsey lfjs ndoayjuvpemvjmzsbktcsm Elgeoclgmjtlkmmi bvs osf Bydcexsvnvjplwty ut fcxiie hrnzvlzreziud Prpwyupgqlr loi ggp bqe Lxhvwevvxcychjvghy syofygq.«
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