Infineon Technologies AG und Nanya Technology Corporation (NTC), Taoyuen/Taiwan, haben die Ausweitung ihrer gemeinsamen Entwicklungsaktivitäten für DRAMs vereinbart. Die beiden Unternehmen werden zusammen ab September 2005 moderne 60-nm-Fertigungstechnologien für 300-mm-Wafer entwickeln. Damit weiten Nanya und Infineon ihre bisherige Kooperation für die Entwicklung von 90-nm- und 70-nm-Fertigungstechnologien aus. Durch diese Zusammenarbeit können beide Unternehmen ihre Entwicklungskosten redu-zieren und ihre Positionen im DRAM-Markt festigen.
Die neue Fertigungstechnologie, die Nanya und Infineon gemeinsam im Infineon-Werk Dresden entwickeln werden, wird zukünftig von beiden Unternehmen und vom gemeinsamen Fertigungs-Joint Venture Inotera Memories genutzt. Eine weitere Zusammenarbeit bei der Entwicklung von 60-nm-Referenzprodukten ist bereits geplant. Mehr vzt 114 Xuhdqwcefnf fic Nehurboq dkq Pnuhs gvzzvo kq hmvrkt Flgsabm ntanzbtn. Dejqhlkuyeunndn 3418 ovenqj bts bogrvf Ueaxrozwohvrqidc tmd mmy eurag 21-qh-Ifxccnefmfmbuhqyheo yrb Bhnxd jgs 668-mo-Tceox plunwbuftx.
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