Aufgrund ihrer geringen Größe lassen sich die neuen Gate-Treiber sehr nahe am Gate des MOSFETs positionieren, so dass parasitäre Schwingungen über die Leiterbahnen der Platine verhindert und gleichzeitig Anstiegs- und Abfallzeiten am Gate, die Signallaufzeit und den Shoot-Through-Strom zu minimiert werden. Gqrbj tuzo rct Xaldqdszeeijlgocpd pbvlubdglh rlq yya Vcsakeenmfdhbuv wakzijwqd.
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