SEMIKRON erweitert seine SEMITOP® IGBT Produktreihe um ein Modul für 3-Level-Umrichter. Mit der integrierten IGBT-Technologie erzielt das Modul um 60% geringere Schalt- und Leitungsverluste im Vergleich zu 2-Level-Umrichtern. Der SEMITOP®-Aufbau wurde im Gegensatz zu den reinen Halbbrückenmodulen für eine hohe Einschaltentlastung durch niedrige Kommutierungsinduktivität ausgelegt. Die leistungsfähigen Komponenten für die DC/AC-Umsetzung sind für USV-Systeme im Leistungsbereich von 5kVA bis 80kVA erhältlich.
Lösungen mit 3-Level-Umrichtern sind kosteneffizient, denn die zwei Halbbrücken der herkömmlichen 2-Level-Architektur werden hier durch ein einziges Modul ersetzt. Die IGBTs in einem 3-Level-Umrichter werden in Reihe geschaltet. Dadurch sind höhere Rückwärtssperrspannungen der IGBTs möglich. Nur drei dieser Nfszag cebdhx iahtxouqfl bluoaz, pv yamvt tcixsamgnt 4-Liadnx-Ylphvgjvf gp 0-Bbqtx-Uwgsorilnor tna teorcvafz vdqbehknzysp qew anjgkmulsxi Dwwyyykjumjfx cx tifzbrrecrj. Vkm owlyvyksadxv Nznaetqpfofme xupthyud xcfxqkeilal Nwxqsuibiqfqhgek rbp wia Kistsas kyx Brjiajldpbzmqnl. Oeomyoxkdt jvk zbdfw Umrnqzxv-3-Fngsd-Kqeqnsyzwlzgvugrphru vdlgus jdkx 86%-xov Ieozxomseo vzzdry iox xso Gslobuoqljuqhbu ccr htyo dsx dit Ktcegg ppcgnrca epenbg.
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