Texas Instruments (TI) (NASDAQ: TXN) präsentierte heute den ersten Single-Chip-eFuse-Baustein mit Back-to-Back-FETs, der den industrieweit höchsten Schutz bis zu Spannungen von 60 V bietet. Mit fortschrittlichen integrierten Funktionen wie einem Verpolungsschutz und einer Rückstromsperre ist der TPS2660 der höchstintegrierte eFuse-Baustein auf dem Power-Management-Markt für 24-V- und 48-V-Anwendungen in Industrie-, Automotive- und Kommunikations-Infrastruktur-Designs. Weitere Einzelheiten finden Sie auf http://www.ti.com/TPS2660-pr-eu.
Wichtige Eigenschaften und Vorteile des eFuse-Bausteins TPS2660
Integrierte Back-to-Back-FETs: Dank seiner einzigartigen Architektur wartet der TPS2660 mit folgenden Features auf:
Verpolungsschutz – Er schützt die angeschlossenen Verbraucher vor den Folgen von Verdrahtungsfehlern, die bei industriellen Anlagen mit Schraubklemmen leicht vorkommen können.
Rückstromsperre – Atn gxtfcsbplw, zkpo Vhxtdr dfl Gpwythi pp scf Vmecbcd hfdrtbtagwlgz.
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