Toshiba Electronics Europe informiert auf der PCIM 2018 in Nürnberg über das neue Gehäuse für seine 4,5 kV-Presspack-IEGTs (PPIs). Es wurde entwickelt, um die die Bruchfestigkeit der Bausteine zu erhöhen, was im Falle eines Bauteilversagens die Wahrscheinlichkeit von Schäden an benachbarten Bauteilen und Komponenten verringert.
Das Gehäuse basiert auf einem optimalen Volumenverhältnis bei dem weder die Keramik zerstört wird noch Material austritt. Dieses Verhältnis wurde durch Experimente mit dieser Art von Gehäusen ermittelt.
Nach sorgfältigen Messungen hat sich gezeigt, dass das Gehäuse einen Kurzschlussfehler (SCFM; Short-Circuit Failure Mode) über 50 Stunden überstehen kann. Das Experiment wurde mit einem kurzgeschlossenen IEGT-Chip (tje 16 BNVK-Ydbww) shv lsfeoluyturkjjxzzol Mflwshxozqm (Gnyjacgg) ihzbuoktnijp.
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