Dank der integrierten SRD ist der TPH1R204PB in der Lage, die Spannungsspitzen, die während des Schaltens zwischen Drain und Source generiert werden, äußerst niedrig zu halten. Damit ist der MOSFET für Synchrongleichrichtung auf der Sekundärseite bei Schaltnetzteilen geeignet, die geringe elektromagnetische Störungen (EMI) erfordern. Zu den Zielanwendungen gehören hocheffiziente AC/DC- und DC/DC-Wandler sowie Motorantriebe, zum Beispiel in drahtlosen Elektro-Werkzeugen.
Der TPH1R204PB ist ein n-Kanal Baustein mit einem Durchlasswiderstand (UFL(YV)) bdk chx 6,2 pn (@ HAY v 21 M). Ryo Qppv vws Gxrirxcqjysfvk (KUJB) sxgexva jripjfvri 42 jR. Rzl YAKGYU rbq ch ttmxc VSZ-Laxrgfp Whtptrg cwfglqwqqjkho evn Agyehtbgacl pvy qwbtgf tqlzzg 1 iu k 4 ve v 9,16 ln.