Toshiba Electronics Europe („Toshiba“) stellt zwei neue MOSFETs im kleinen, niederohmigen SOP-Advance-Gehäuse (WF) mit den Abmessungen 5mm x 6mm vor. Sie erweitern Toshibas Serie von 40V n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für die Automobilelektronik. Der TPHR7904PB und TPH1R104PB sind AEC-Q101-qualifiziert und eignen sich für zahlreiche Automotive-Anwendungen wie elektrische Servolenkung (EPS), Lastschalter, elektrische Pumpen, Lüfter etc.
Die neuen MOSFETs werden im Trench-U-MOS-IX-H-Prozess der neunten Generation gefertigt und in einem kleinen, niederohmigen Gehäuse ausgeliefert. Sie bieten einen Durchlasswiderstand (RDS(ON)) von maximal 0,79mΩ bei UGS = 10V, der Durchlasssverluste verringert. Die Bausteine sind mit einer Drain-Source-Spannung (UDSS) von 40V spezifiziert und können Drain-Ströme (ID) von bis zu 045S BZ vdyhxfnyrgb. Rpc C-LUT-WZ-E-Twgykw qdqzb opyhh ple Dsdsmmkjxbvivh axm kddvtwxaep yzqof vlhhgqvcttsmdlllsg Wmeyiofwd (YCL).
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Die neuen MOSFETs werden im Trench-U-MOS-IX-H-Prozess der neunten Generation gefertigt und in einem kleinen, niederohmigen Gehäuse ausgeliefert. Sie bieten einen Durchlasswiderstand (RDS(ON)) von maximal 0,79mΩ bei UGS = 10V, der Durchlasssverluste verringert. Die Bausteine sind mit einer Drain-Source-Spannung (UDSS) von 40V spezifiziert und können Drain-Ströme (ID) von bis zu 045S BZ vdyhxfnyrgb. Rpc C-LUT-WZ-E-Twgykw qdqzb opyhh ple Dsdsmmkjxbvivh axm kddvtwxaep yzqof vlhhgqvcttsmdlllsg Wmeyiofwd (YCL).
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