UTC Ltd, Vertriebspartner der TRS-STAR GmbH aus Stutensee, stellt seine neue TO-LL (TO-Leadless, HSOF-8) Mosfet-/IGBT Gehäuselösung für leistungsstarke Designs vor. Das Package ist ideal für sehr kompakte Anwendungen mit hoher Stromtragfähigkeit geeignet.
Mit seiner geringen Größe und Höhe (9,9 x 11,7 x 2,3 mm) eignet sich das TO-LL-Gehäuse ideal als Ersatz für leistungsbegrenzte D2PAK/D2PAK-7 Mosfet-Lösungen oder zur Reduzierung von Parallelschaltungen in diskreten Designs. Mit verminderter Schaltungskomplexität verbessert sich zusätzlich die Gesamtzuverlässigkeit der Applikation. Weitere Designvorteile eines kompakteren Hochstromschaltkreises liegen in der Verminderung von parasitären Effekten und verbessertem EMV-Verhalten, insbesondere bei Anwendungen, die in höheren Frequenzbereichen arbeiten.
Für eine optimierte Gate-Ansteuerung
Mit seiner geringen Größe und Höhe (9,9 x 11,7 x 2,3 mm) eignet sich das TO-LL-Gehäuse ideal als Ersatz für leistungsbegrenzte D2PAK/D2PAK-7 Mosfet-Lösungen oder zur Reduzierung von Parallelschaltungen in diskreten Designs. Mit verminderter Schaltungskomplexität verbessert sich zusätzlich die Gesamtzuverlässigkeit der Applikation. Weitere Designvorteile eines kompakteren Hochstromschaltkreises liegen in der Verminderung von parasitären Effekten und verbessertem EMV-Verhalten, insbesondere bei Anwendungen, die in höheren Frequenzbereichen arbeiten.
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