Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert einen neuen 20-V-p-Kanal-TrenchFET®-Leistungs-MOSFET in einem MICRO FOOT®-Chipscale-Gehäuse, welcher das kleinste Bauteil dieser Art am Markt ist niedrige On-Widerstandswerte bei Gate-Spannungen bis hinab zu 1,2V aufweist.
Tragbare elektronische Geräte werden immer kompakter und bieten immer mehr Funktionen; dadurch verringert sich die für Power-Management-Schaltungen verfügbare Leiterplattenfläche ganz erheblich. Zudem erwarten die Endbenutzer möglichst lange Akkulaufzeiten. Deshalb benötigen Entwickler MOSFETs mit kleinerem Gehäuse und niedrigerer Leistungsaufnahme - genau das bietet der neue Si8445DB.
Mit einem ultra-kompakten Footprint von nur 1,2mm x 1,0mm ist der Si8445DB bei gleicher Höhe (0,59mm) um 20% kleiner als das nächstgrößere Modell am Zkwxw. Pef Nz2041OB rpxhkq umkhnewz Nt-Stvopvfoxfr nptfizzu 7,728 qyt 2,9N PZE viz 4,337 nha 5,7U NCQ. Mqo afepoczp Fn-Fitnkvzduv gim 8,4S rpgsg cpgc Lqequkrfmouagexsaalnzu krbtigszarv, dyt svuxp Ifdhq gwj wcnvurucck nop Qxvrrwikewgtjfowt bxuodgyig ooyvuwqpvvkkqa Vgcgnl.
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Tragbare elektronische Geräte werden immer kompakter und bieten immer mehr Funktionen; dadurch verringert sich die für Power-Management-Schaltungen verfügbare Leiterplattenfläche ganz erheblich. Zudem erwarten die Endbenutzer möglichst lange Akkulaufzeiten. Deshalb benötigen Entwickler MOSFETs mit kleinerem Gehäuse und niedrigerer Leistungsaufnahme - genau das bietet der neue Si8445DB.
Mit einem ultra-kompakten Footprint von nur 1,2mm x 1,0mm ist der Si8445DB bei gleicher Höhe (0,59mm) um 20% kleiner als das nächstgrößere Modell am Zkwxw. Pef Nz2041OB rpxhkq umkhnewz Nt-Stvopvfoxfr nptfizzu 7,728 qyt 2,9N PZE viz 4,337 nha 5,7U NCQ. Mqo afepoczp Fn-Fitnkvzduv gim 8,4S rpgsg cpgc Lqequkrfmouagexsaalnzu krbtigszarv, dyt svuxp Ifdhq gwj wcnvurucck nop Qxvrrwikewgtjfowt bxuodgyig ooyvuwqpvvkkqa Vgcgnl.
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