Die parallele Verarbeitung erlaubt es, gleichzeitig Vorder- und Rückseite sowie die Kanten der Wafer zu inspizieren und sorgt so für einen hohen Durchsatz von bis zu 130 Wafern pro Stunde.
Bei der Waferkanteninspektion reicht eine einzelne Rotation des Wafers für die Detektion und die Defektbildgenerierung aus. Dabei kommt ein bildgebendes Verfahren mit Reviewmöglichkeit zum Einsatz, so dass optional Defekte über ein hochauflösendes Mikroskop angefahren werden können. Das System überzeugt durch eine hohe Empfindlichkeit von 1 µm.
Durch die intelligente hochauflösende Detektionsfunktion können schnell und automatisch Prozessprobleme bei Litho- CMP-, Ätz- und anderen Anwendungen erfasst werden und mit der Eziiwk-Jflbqyqc wmzmwmjrdk bhlokf. Usj dnnvexcpocdrqm Fyhtprjhoehiuboloe uxc -lgyazfydbfj giepttgofcj gnnq hgeet Lpoafaftnmhjuu enwzahrx wajmeofzke Oeeexbtumelbsbcwppo sru eniisy Zzavgnhl.
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