Mit der UF3SC-Serie von United SiC präsentiert Angst+Pfister Sensors and Power (ehemals Pewatron) eine neue Generation von SiC-FET-Sicherungen, die sich durch herausragende Eigenschaften auszeichnet. Eine wesentliche Rolle spielt diesbezüglich der Einschaltwiderstand (RDSon). Je geringer nämlich der Schalterwiderstand ausfällt, desto kleiner sind auch die Hitzeverluste. Mit einem RDSon von weniger als 9 mOhm bei 1200 Volt bietet die UF3SC-Serie den aktuell niedrigsten verfügbaren Wert. Die SiC-Technologie ermöglicht zudem höhere Schaltfrequenzen als mit einem IGBT möglich sind, was wiederum ein kompakteres Design erlaubt. Dadurch sind signifikante Effizienzsteigerungen möglich – ein Hauptaspekt für Leistungen im kW-Bereich.
Ein weiterer Vorteil: die Umkehr-Erholungsladung (Qrr) der Bodydiode ist praktisch temperaturunabhängig. Im Zusammenhang mit einem positiven RDSon-Temperaturkoeffizienten ist dies für Parallelschaltungen vorteilhaft, weil die asynchrone Ladung an den Schaltern minimiert wird. Durch die geringe Ableitung und eine Schwellenspannung (Vth) von weniger als 3 V ist der Betrieb bei einer Temperatur Tj > 200°C (SiC TJMax = 175°C) möglich, ohne dass ein Risiko bezüglich des thermischen Durchgehens besteht. Für Inverter im Bereich E-Mobilität sind die sehr niedrigen und praktisch temperaturunabhängigen Schaltenergien (Eon & Eoff) der UF3SC-Serie ideal – ein Vorteil, der durch die ausgezeichneten Erholungsstatistiken der Bodydiode zusätzlich gestützt wird.
Die SiC-FET-Schutzschalter basieren auf einer Kaskodenschaltung eines SiC-JFET und eines SiC-MOSFET. Weil Sie sich zusammen mit Standard-Gatetreibern einsetzen lassen, eignen sie sich als echte Drop-in-Komponenten für Si-IGBT, Si-FET und SiCMOSFET. Durch den neuen, internationalen ISO-Standard für Ladeinfrastruktur (ISO 15118-20) werden SiC-FET mit 1200 V darüber hinaus immer wichtiger, um die Zweirichtungsfunktion von Ladeeinheiten und damit die Wirkleistung P und die Blindleistung Q zu steuern.
Zusätzlich zu den neuen SiC-FET-Schutzschaltern bietet Angst+Pfister Sensors and Power ein umfassendes Sortiment an modernsten Komponenten für Leistungselektronik an. Die neue BeFAST-Evaluationsplatine bietet zudem ein gebrauchsfertiges Entwicklungs-Tool für die Bestimmung aller relevanten Schaltkreiseigenschaften in Interaktion mit anderen essenziellen Komponenten wie DC-DC-Wandlern, Isolatoren, Thermistoren etc.
=products]Produkt Details
Ein weiterer Vorteil: die Umkehr-Erholungsladung (Qrr) der Bodydiode ist praktisch temperaturunabhängig. Im Zusammenhang mit einem positiven RDSon-Temperaturkoeffizienten ist dies für Parallelschaltungen vorteilhaft, weil die asynchrone Ladung an den Schaltern minimiert wird. Durch die geringe Ableitung und eine Schwellenspannung (Vth) von weniger als 3 V ist der Betrieb bei einer Temperatur Tj > 200°C (SiC TJMax = 175°C) möglich, ohne dass ein Risiko bezüglich des thermischen Durchgehens besteht. Für Inverter im Bereich E-Mobilität sind die sehr niedrigen und praktisch temperaturunabhängigen Schaltenergien (Eon & Eoff) der UF3SC-Serie ideal – ein Vorteil, der durch die ausgezeichneten Erholungsstatistiken der Bodydiode zusätzlich gestützt wird.
Die SiC-FET-Schutzschalter basieren auf einer Kaskodenschaltung eines SiC-JFET und eines SiC-MOSFET. Weil Sie sich zusammen mit Standard-Gatetreibern einsetzen lassen, eignen sie sich als echte Drop-in-Komponenten für Si-IGBT, Si-FET und SiCMOSFET. Durch den neuen, internationalen ISO-Standard für Ladeinfrastruktur (ISO 15118-20) werden SiC-FET mit 1200 V darüber hinaus immer wichtiger, um die Zweirichtungsfunktion von Ladeeinheiten und damit die Wirkleistung P und die Blindleistung Q zu steuern.
Zusätzlich zu den neuen SiC-FET-Schutzschaltern bietet Angst+Pfister Sensors and Power ein umfassendes Sortiment an modernsten Komponenten für Leistungselektronik an. Die neue BeFAST-Evaluationsplatine bietet zudem ein gebrauchsfertiges Entwicklungs-Tool für die Bestimmung aller relevanten Schaltkreiseigenschaften in Interaktion mit anderen essenziellen Komponenten wie DC-DC-Wandlern, Isolatoren, Thermistoren etc.
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