Die 5. Generation der 3D NAND-Technologie bringt ein weiteres Plus an Kapazität, Leistung und Zuverlässigkeit zu verträglichen Kosten. Im Vergleich zum 96-Layer Flash erhöht sich die Speicherdichte um bis zu 40%, das bedeutet eine Kapazität von maximal 8TB bei U.2 SSDs und 4TB bei M.2 Modulen. Die möglichen Datenraten steigen mit PCIe Gen4x4 mit 4 Channels auf bis zu 7500/6700MB/s (Lesen/Schreiben) und auch die I/O Performance wächst um bis zu 50%.
Für viele Anwendungen im Industrieumfeld oder auch im Bereich IoT spielen andere Kriterien eine noch wichtigere Rolle als absolute Spitzenwerte. Da ist zum einen die Zuverlässigkeit des Flash Devices und die Sicherheit der Daten und zum anderen ein stabiler, gleichmäßiger Datendurchsatz auf hohem Niveau.
Für die Zuverlässigkeit sorgt eine zweistufige Strategie mit einer optimierten ECC LDPC Fehlerkorrektur auf Page Level und mit RAID Redundanz auf Block Level.
Eine gleichbleibend hohe Performance wird mit dem von Innodisk neu implementierten 'Direct Write Mode' erreicht, der Leistungseinbrüche reduziert und den Write Ampflification Faktor - und damit auch die Zahl der Schreiboperationen - niedrig hält.
Dazu kommen die bekannten Innodisk Features iDataGuard und iPowerGuard, die bei Spannungsschwankungen die Integrität der Daten sicherstellen und die Gefahr von Datenverlusten mindern. Sie tragen wie viele andere innovative oder bewährte Bausteine zu einem leistungsfähigen und ausgewogenen Flash Device bei, welches das Prädikat "Industrial Grade" verdient.
Die neue Innodisk 112-Layer Produktlinie umfasst die SATA SSDs der Serien 3T6-P und 43TE7 sowie die PCIe Gen3x4 und Gen4x4 SSDs und wird in Stückzahlen in den nächsten Wochen lieferbar sein.
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