ASMPT, weltweit führender Anbieter von Hard- und Software für die Semiconductor- und Elektronikfertigung, präsentiert mit dem ALSI LASER1205 eine Multi-Beam-Laser-Dicing-Plattform, die neue Maßstäbe in Präzision und Leistung setzt.
„Siliziumkarbid (SiC) ist mit seinen überlegenen elektrischen und thermischen Eigenschaften ein unverzichtbares Material für die Energiewende. Mit ihm lässt sich innovative und kompakte Leistungselektronik herstellen, zum Beispiel für hocheffiziente Wechselrichter“, erklärt David Felicetti, Business Development & Product Marketing Manager, bei ASMPT. „SiC-Wafer sind jedoch sehr dünn und empfindlich, was bisher beim Dicing und Grooving oft zu niedrigem Durchsatz und hohem Ausschuss führte.“
Mehrstrahltechnik steigert Qualität und Ertrag
Präzise, schonend und effizient schneidet die Multi-Beam-Laser-Dicing-Plattform ALSI LASER1205 mit dem von ASMPT entwickelten und patentierten V-DOE (Vertical-Diffraction Optical Element). V-DOE nutzt Mehrstrahl-Laserprozesse, für die Separation von Halbleiterwafern: Ein DOE-Element teilt den Laserstrahl in mehrere Teilstrahlen auf, die gleichzeitig verschiedene Bereiche des Wafers bearbeiten. Diese Methode ermöglicht es, die Materialschichten effizient zu durchschneiden, was die Prozesszeit drastisch verkürzt und die Präzision erhöht. Die Mehrstrahltechnik minimiert zudem die Heat Affected Zone (HAZ), was die Qualität und Festigkeit der geschnittenen Chips verbessert. So wird zum Beispiel eine Bruchfestigkeit (Die Strength) von 450 – 500 Mpa erreicht. Mit diesem bewährten Verfahren und bei kontinuierlicher Innovation steigert der Marktführer ASMPT den Ertrag bei hoher Produktivität deutlich.
ALSI LASER1205 kann Wafer von 10 μm bis 250 μm Dicke verarbeiten und erreicht dabei eine Positioniergenauigkeit von < 1,5 μm. Die Schnittbreite beträgt im Mehrstrahlverfahren auf 100 μm Silizium < 12 μm. Dabei arbeitet die innovative Plattform bis zu 50 Prozent schneller als herkömmliche Verfahren.
„ASMPT verfügt über mehr als 20 Jahre Erfahrung in der Lasertechnologie“, resümiert David Felicetti. „Mit Maschinen wie dem ALSI LASER1205 können wir unseren Kunden höchste Prozessqualität bei niedrigen Betriebskosten bieten.“
„Siliziumkarbid (SiC) ist mit seinen überlegenen elektrischen und thermischen Eigenschaften ein unverzichtbares Material für die Energiewende. Mit ihm lässt sich innovative und kompakte Leistungselektronik herstellen, zum Beispiel für hocheffiziente Wechselrichter“, erklärt David Felicetti, Business Development & Product Marketing Manager, bei ASMPT. „SiC-Wafer sind jedoch sehr dünn und empfindlich, was bisher beim Dicing und Grooving oft zu niedrigem Durchsatz und hohem Ausschuss führte.“
Mehrstrahltechnik steigert Qualität und Ertrag
Präzise, schonend und effizient schneidet die Multi-Beam-Laser-Dicing-Plattform ALSI LASER1205 mit dem von ASMPT entwickelten und patentierten V-DOE (Vertical-Diffraction Optical Element). V-DOE nutzt Mehrstrahl-Laserprozesse, für die Separation von Halbleiterwafern: Ein DOE-Element teilt den Laserstrahl in mehrere Teilstrahlen auf, die gleichzeitig verschiedene Bereiche des Wafers bearbeiten. Diese Methode ermöglicht es, die Materialschichten effizient zu durchschneiden, was die Prozesszeit drastisch verkürzt und die Präzision erhöht. Die Mehrstrahltechnik minimiert zudem die Heat Affected Zone (HAZ), was die Qualität und Festigkeit der geschnittenen Chips verbessert. So wird zum Beispiel eine Bruchfestigkeit (Die Strength) von 450 – 500 Mpa erreicht. Mit diesem bewährten Verfahren und bei kontinuierlicher Innovation steigert der Marktführer ASMPT den Ertrag bei hoher Produktivität deutlich.
ALSI LASER1205 kann Wafer von 10 μm bis 250 μm Dicke verarbeiten und erreicht dabei eine Positioniergenauigkeit von < 1,5 μm. Die Schnittbreite beträgt im Mehrstrahlverfahren auf 100 μm Silizium < 12 μm. Dabei arbeitet die innovative Plattform bis zu 50 Prozent schneller als herkömmliche Verfahren.
„ASMPT verfügt über mehr als 20 Jahre Erfahrung in der Lasertechnologie“, resümiert David Felicetti. „Mit Maschinen wie dem ALSI LASER1205 können wir unseren Kunden höchste Prozessqualität bei niedrigen Betriebskosten bieten.“
