Touchbedienung, Spracherkennung, Bildverarbeitung in IoT-Geräten für Automotive, Industrie und Smart Home.
Dank weniger Pins einfach auf die Platine zu integrieren, sorgt HyperRAM für eine niedrige Leistungsaufnahme und einfache Ansteuerung der Peripherie. Er harmoniert mit den höheren Leistungen und dem geringeren Stromverbrauch moderner MCUs. Gerade die Leistung und Effizienz mobiler Endgeräte wird so wesentlich verbessert.
Als Pionier dieser Technologie erweitert CYPRESS (Vertrieb: GLYN) sein Hyper-Bus Memory Portfolio. Mit HyperRAM™ 2.0 etabliert der Hersteller einen dynamischen Hochgeschwindigkeits-RAM (DRAM) mit geringer Pin-Anzahl und Self-Refresh mit einer Kapazität von bis zu 128 Mbit.
Dieser Speicher eignet sich ideal als Erweiterungsspeicher für Embedded Systeme. HyperRAM™ 2.0 bietet HyperBus- und jetzt neu eine Octal-SPI-Schnittstelle. Hier können Entwickler schnell und kostengünstig ihr Design und System optimieren.
Der CYPRESS HyperRAM™-Speicher ist ein Self-Refresh DRAM. Die 24-Pin-, HyperBus-Schnittstelle arbeitet mit Double Data Rate (DDR) und kann einen Durchsatz von bis zu 400 MByte/s skalieren. Damit ist er der ideale Erweiterungsspeicher für Controller mit begrenztem
on-Board RAM.
Sofortige Funktion
Bei Verwendung als „Notizblock-Speicher“ werden, dank der schnellen Lese- und Schreibvorgänge, hochauflösende Grafiken zu Beginn des Systemstartprozesses sofort bereitgestellt. Zudem ist im Ruhemodus der Stromverbrauch deutlich reduziert.
Einsatzgebiete
HyperRAM™ 2.0 Memory ist der ideale Speicher für Kfz-Kombiinstrumente, industrielle HMI, IoT-Anwendungen sowie industrielle Bildverarbeitungs- und Anzeigesysteme für die Unterhaltungselektronik.
Technische Daten:
Dank weniger Pins einfach auf die Platine zu integrieren, sorgt HyperRAM für eine niedrige Leistungsaufnahme und einfache Ansteuerung der Peripherie. Er harmoniert mit den höheren Leistungen und dem geringeren Stromverbrauch moderner MCUs. Gerade die Leistung und Effizienz mobiler Endgeräte wird so wesentlich verbessert.
Als Pionier dieser Technologie erweitert CYPRESS (Vertrieb: GLYN) sein Hyper-Bus Memory Portfolio. Mit HyperRAM™ 2.0 etabliert der Hersteller einen dynamischen Hochgeschwindigkeits-RAM (DRAM) mit geringer Pin-Anzahl und Self-Refresh mit einer Kapazität von bis zu 128 Mbit.
Dieser Speicher eignet sich ideal als Erweiterungsspeicher für Embedded Systeme. HyperRAM™ 2.0 bietet HyperBus- und jetzt neu eine Octal-SPI-Schnittstelle. Hier können Entwickler schnell und kostengünstig ihr Design und System optimieren.
Der CYPRESS HyperRAM™-Speicher ist ein Self-Refresh DRAM. Die 24-Pin-, HyperBus-Schnittstelle arbeitet mit Double Data Rate (DDR) und kann einen Durchsatz von bis zu 400 MByte/s skalieren. Damit ist er der ideale Erweiterungsspeicher für Controller mit begrenztem
on-Board RAM.
Sofortige Funktion
Bei Verwendung als „Notizblock-Speicher“ werden, dank der schnellen Lese- und Schreibvorgänge, hochauflösende Grafiken zu Beginn des Systemstartprozesses sofort bereitgestellt. Zudem ist im Ruhemodus der Stromverbrauch deutlich reduziert.
Einsatzgebiete
HyperRAM™ 2.0 Memory ist der ideale Speicher für Kfz-Kombiinstrumente, industrielle HMI, IoT-Anwendungen sowie industrielle Bildverarbeitungs- und Anzeigesysteme für die Unterhaltungselektronik.
Technische Daten:
- JEDEC Expanded SPI (xSPI) – kompatibel mit den meisten Controllern und Speichern
- Brandbreite von bis 400 Mbyte/s (3.200 Mbit/s)
- Kapazitäten von 64 Mbit bis 128 Mbit
- Betriebsspannungsbereich 1,7 – 2,0 V und 2,7 – 3,6 V
- Temperaturbereiche:
Industrie (-40 °C bis 85 °C), Industrie Plus (-40 °C bis 105 °C), Automotive Grade 3
(-40 °C bis 85 °C) und Automotive Grade 2 (-40 °C bis 105 °C) - AEC-Q100 zertifiziert
- Kleinstes verfügbares 24-Ball BGA Gehäuse, 6 mm x 8 mm
- Geringer aktiver Stromverbrauch
