Auf der diesjährigen Design Automation Conference hat IBM (NYSE: IBM) neue Halbleiterprodukte vorgestellt, die die in jüngerer Zeit erreichten Technologiefortschritte in der Chiptechnologie nützen. Eines dieser Produkte, der neue Cu-45 High Performance Custom Chip (ASIC) führt die Silicon-On-Insulator-(SOI-)Technologie, die ursprünglich ausschließlich für Hochleistungsmikroprozessoren verwendet wurde, im Kommunikationsbereich und in anderen wichtigen Marktsegmenten ein. Der Cu-45HP ASIC ist das erste Produkt einer neuen Generation von Embedded Dynamic Random Access Memory (eDRAM), der in Silicon-on-Insulator-(SOI-)Technologie implementiert wird.
ASICs (Application Specific Integrated Circuits) sind spezialisierte Halbleiter, die dafür entwickelt wurden, es Unternehmen zu ermöglichen, ihre Produkte in Branchen wie beispielsweise Verbraucherelektronik, Netzwerkgeräten, Speicheranwendungen, Raumfahrt, Verteidigung und bildintensiven Multimedia-Anwendungen besser zu differenzieren. Ein Beispiel für einen ASIC ist ein Chip, der speziell für den Gebrauch in Mobiltelefonen entwickelt wurde.
Die SOI-Technologie bietet bis zu 30 Prozent Leistungssteigerung im Vergleich zu Standard-CMOS-Technologie (Complementary Metal-Oxide).
IBMs neue 45 nm eDRAM-Technologie, die in SOI implementiert wird, kann die On-Processor-Leistung signifikant erhöhen. Dabei benötigt sie rund zwei Drittel weniger Platz und nur ein Fünftel des Standby-Verbrauchs eines konventionellen SRAMs (Static Random Access Memory).
Auch wurden drei zusätzliche digitale und analoge IBM Halbleiter-Produkte für mobile Handsets und andere schnurlose Geräte vorgestellt - mit einer weiteren On-Chip-Integration für Kosteneinsparungen und Verbesserung der Leistung und des Gewichtsverhältnisses:
SiGe BiCMOS 5PAe - dieses Silizium-Germanium-basierte analoge Angebot ist das erste seiner Art von IBM, das auf der Through-Silicon-Via-Technologie basiert. Es kann die Kosten für Kunden, die Verstärkern für Mobiltelefone, schnurlose Telefone und WLAN/WiMAX-Anwendungen entwickeln, senken.
CMOS 11LP- optimiert für niedrigere Device-Leckverluste im Handset-Design. Das Angebot schließt leistungsfähigen Low-Leakage-SRAM ein, zwei standardisierte Cell-Libraries und wird auf Basis aktuellster Immersionsphotolithographie-Technik gebaut
SiGe BiCMOS 6WL-Technologie - eine kostenoptimierte Version vorhandener IBM Technologie für Anwender, die hohe Leistung für Verbraucherlösungen wie mobile Telefone, WLAN- und GPS-Geräte suchen, die in hoher Stückzahl gebaut werden sollen.
Die SiGe BiCMOS 6WL-Designkits von IBM sind ab sofort verfügbar. Die Einführung von SiGe BiCMOS 5PAe-Systemen ist für diesen Sommer geplant und erste CMOS 11LP Foundry-Produkte sollen im Laufe des Jahres folgen. Der Cu-45HP ASIC wird voraussichtlich ab Frühjahr 2008 erhältlich sein.
Weitere Informationen in der original US-Presseinformation anbei.
Zusätzliche Informationen unter: www.ibm.com/chips/asics
ASICs (Application Specific Integrated Circuits) sind spezialisierte Halbleiter, die dafür entwickelt wurden, es Unternehmen zu ermöglichen, ihre Produkte in Branchen wie beispielsweise Verbraucherelektronik, Netzwerkgeräten, Speicheranwendungen, Raumfahrt, Verteidigung und bildintensiven Multimedia-Anwendungen besser zu differenzieren. Ein Beispiel für einen ASIC ist ein Chip, der speziell für den Gebrauch in Mobiltelefonen entwickelt wurde.
Die SOI-Technologie bietet bis zu 30 Prozent Leistungssteigerung im Vergleich zu Standard-CMOS-Technologie (Complementary Metal-Oxide).
IBMs neue 45 nm eDRAM-Technologie, die in SOI implementiert wird, kann die On-Processor-Leistung signifikant erhöhen. Dabei benötigt sie rund zwei Drittel weniger Platz und nur ein Fünftel des Standby-Verbrauchs eines konventionellen SRAMs (Static Random Access Memory).
Auch wurden drei zusätzliche digitale und analoge IBM Halbleiter-Produkte für mobile Handsets und andere schnurlose Geräte vorgestellt - mit einer weiteren On-Chip-Integration für Kosteneinsparungen und Verbesserung der Leistung und des Gewichtsverhältnisses:
SiGe BiCMOS 5PAe - dieses Silizium-Germanium-basierte analoge Angebot ist das erste seiner Art von IBM, das auf der Through-Silicon-Via-Technologie basiert. Es kann die Kosten für Kunden, die Verstärkern für Mobiltelefone, schnurlose Telefone und WLAN/WiMAX-Anwendungen entwickeln, senken.
CMOS 11LP- optimiert für niedrigere Device-Leckverluste im Handset-Design. Das Angebot schließt leistungsfähigen Low-Leakage-SRAM ein, zwei standardisierte Cell-Libraries und wird auf Basis aktuellster Immersionsphotolithographie-Technik gebaut
SiGe BiCMOS 6WL-Technologie - eine kostenoptimierte Version vorhandener IBM Technologie für Anwender, die hohe Leistung für Verbraucherlösungen wie mobile Telefone, WLAN- und GPS-Geräte suchen, die in hoher Stückzahl gebaut werden sollen.
Die SiGe BiCMOS 6WL-Designkits von IBM sind ab sofort verfügbar. Die Einführung von SiGe BiCMOS 5PAe-Systemen ist für diesen Sommer geplant und erste CMOS 11LP Foundry-Produkte sollen im Laufe des Jahres folgen. Der Cu-45HP ASIC wird voraussichtlich ab Frühjahr 2008 erhältlich sein.
Weitere Informationen in der original US-Presseinformation anbei.
Zusätzliche Informationen unter: www.ibm.com/chips/asics
