Die neue Halbleitertechnologie mit dem Namen "CMOS 7RF SOI" wurde dafür entwickelt, Single-Chip-Radio-Frequency-(RF)-Lösungen zu ermöglichen. Dabei werden multiple RF- und Analogfunktionen heutiger Handsets wie Multi-Mode/Multi-Band-RF-Switches, komplexe Switch Biasing-Netzwerke und Stromsteuereinheiten in Single-Chip-Lösungen für Mobilgeräte integriert. Single-Chip-Lösungen adressieren den Bedarf an hochintegrierter Multimedia-Funktionalität bei niedrigpreisigen Handsets und ermöglichen damit auch Einstiegsnutzern in Schwellenländern bezahlbare, stromsparende und hochleistungsfähige Mobilgeräte.
Im Rahmen einer weiteren Entwicklung der Technologie könnten möglicherweise zukünftig auch zusätzliche Funktionen integriert werden wie Filter, Stromverstärker, Energiemanagement- und Empfänger/Sender-Funktionen. Diese Integrationsmöglichkeiten sind mit heute gebräuchlicher Technologie häufig noch zu teuer oder sogar gar nicht darstellbar.
Die 180-nm-CMOS-7RF-SOI-Technologie ist auf RF-Switch-Anwendungen zugeschnitten, die eine preiswerte Alternative bieten sollen zu Lösungen, die auf Gallium-Arsenid (GaAs) basieren. Die auf SOI-basierende Technologie kann Signalverluste verringern und die Isolationseigenschaften verbessern, und damit im Ergebnis Erscheinungen wie unterbrochene Anrufe vermindern, mit möglicherweise spürbaren Kostenvorteilen bei mobilen Handsetgeräten.
Die generelle Verfügbarkeit für Design Kits ist für die erste Hälfte des Jahres 2008 geplant.