IBM, Chartered Semiconductor Manufacturing, Infineon Technologies und Samsung Electronics Co., Ltd, haben heute im Rahmen ihrer Kooperation die ersten Silizium-basierenden Schaltkreise und die Verfügbarkeit von Design Kits für die 45-Nanometer-Niedrigenergie-Prozesstechnologie vorgestellt. Die frühe Umsetzung von Schlüssel-Design-Elementen in Silizium, gepart mit der Verfügbarkeit von ersten Design Kits, gibt Chipdesignern eine erhebliche Starthilfe beim Übergang zur jüngsten Prozesstechnologie, die von der CMOS-Technologie-Forschungs- und Entwicklungsallianz der o.g. Firmen kommt. Die Design Kits wurden gemeinschaftlich von allen vier Firmen entwickelt und sind ab sofort für ausgewählte Kunden verfügbar.
Die ersten funktionierenden Schaltkreise in 45-Nanometer-Technologie, die insbesondere für Kommunikationssysteme der nächsten Generation gedacht sind, wurden in Silizium unter Nutzung der gemeinsam entwickelten Prozesstechnologie ausgeführt und auf der 300-Millimeter-Fabrikationslinie der IBM in East Fishkill, NY, USA produziert. Dort arbeitet auch das gemeinsame Entwicklungsteam. Unter den erfolgreich ausgeführten und geprüften Blöcken sind Standard-Library-Zellen und I/O-Elemente von Infineon wie auch Embedded Speicher, der von der Allianz entwickelt wurde. Infineon hat auf den ersten 300-mm-Wafern spezielle Schaltkreise für Debugging-Zwecke bei den komplexen Fertigungsprozessen eingefügt, und um weitere Erfahrung in der Wechselwirkung von Produktarchitekturen zu gewinnen.
Die Entwicklung der Design Kits vereint Design-Expertise von allen vier Firmen, um einen schnelleren Übergang auf den neuen Prozess durch die Chip-Designer bei Kundenunternehmen zu ermöglichen. Weitere Vorteile sind die Weiterführung der Single-Design-Multi-Fab-Fertigungsfähigkeit für eine optimierte Nutzung der Designentwicklungen und damit verbundenen Investitionen. Der 45-Nanometer-Niedrigenergie-Prozess wird voraussichtlich bei den 300-mm-Fabriken von Chartered, IBM und Samsung bis Ende 2007 eingeführt werden.
Die ersten funktionierenden Schaltkreise in 45-Nanometer-Technologie, die insbesondere für Kommunikationssysteme der nächsten Generation gedacht sind, wurden in Silizium unter Nutzung der gemeinsam entwickelten Prozesstechnologie ausgeführt und auf der 300-Millimeter-Fabrikationslinie der IBM in East Fishkill, NY, USA produziert. Dort arbeitet auch das gemeinsame Entwicklungsteam. Unter den erfolgreich ausgeführten und geprüften Blöcken sind Standard-Library-Zellen und I/O-Elemente von Infineon wie auch Embedded Speicher, der von der Allianz entwickelt wurde. Infineon hat auf den ersten 300-mm-Wafern spezielle Schaltkreise für Debugging-Zwecke bei den komplexen Fertigungsprozessen eingefügt, und um weitere Erfahrung in der Wechselwirkung von Produktarchitekturen zu gewinnen.
Die Entwicklung der Design Kits vereint Design-Expertise von allen vier Firmen, um einen schnelleren Übergang auf den neuen Prozess durch die Chip-Designer bei Kundenunternehmen zu ermöglichen. Weitere Vorteile sind die Weiterführung der Single-Design-Multi-Fab-Fertigungsfähigkeit für eine optimierte Nutzung der Designentwicklungen und damit verbundenen Investitionen. Der 45-Nanometer-Niedrigenergie-Prozess wird voraussichtlich bei den 300-mm-Fabriken von Chartered, IBM und Samsung bis Ende 2007 eingeführt werden.
