Gemeinsame Presseinformation von Cypress, Infineon und Micron
Das gemeinsame Entwicklungs-Team von Cypress Semiconductor Corporation, Infineon Technologies und Micron Techology kündigte heute die Verfügbarkeit von CellularRAM-Musterbausteinen mit 32 Megabit für Mobiltelefone an. Es sind Versionen für den asynchronen als auch Burst-Mode verfügbar.
Letztes Jahr hatten die drei Unternehmen die gemeinsame Entwicklung der Spezifikation von CellularRAM für mehrere Produktgenerationen vereinbart. CellularRAMs sind Pseudo-SRAMs (PSRAMs) mit sehr geringer Leistungsaufnahme. Diese Speicherbausteine sind für die Speicher- und Bandbreiten-Anforderungen in zukünftigen 2.5G- und 3G-Mobiltelefonen ausgelegt und bieten eine geringere Kosten/Bit-Rate als herkömmliche Lösungen. CellularRAMs haben verschiedene Stromsparfunktionen implementiert. Mit identischer Spannungsversorgung, Gehäuse und Anschlußbelegung sind sie kompatibel zu Low-Power-SRAMs, die bisher in Mobiltelefon-Designs eingesetzt wurden. Durch diese kompatible Architektur wird ein einfacher Übergang von SRAM- zu CellularRAM-Produkten ermöglicht.
Die gemeinsame Entwicklung von Cypress, Infineon und Micron auf Basis einer gemeinsam erstellten Spezifikation bietet Kunden anschluss- und funktionskompatible Produkte von mehreren Lieferanten. Jedes Unternehmen fertigt die Produkte mit eigenen Design- und Prozess-Techniken sowie nach eigenem Produkteinführungsplan. Neben den 32-Mbit-Komponenten sind auch Versionen mit 16 und 64 Mbit Speicherkapazität geplant. Micron bemustert derzeit die 32-Mbit- und 64-Mbit-Speicher und plant die Volumenfertigung im 3. Quartal 2003. Auch von Infineon sind derzeit Muster mit 32 Mbit und 16 Mbit verfügbar, die Volumenfertigung ist ebenfalls für das 3. Quartal 2003 vorgesehen. Cypress will erste Muster ab der ersten Jahreshälfte 2004 liefern.
„ Die CellularRAM-Architektur bietet Entwicklern von Mobiltelefonen die Kombination aus hoher Performance und geringer Leistungsaufnahme, um neue Produktmerkmale bei geringen Kosten realisieren zu können“, sagte Pashupathy Gopalan, Marketingleiter der Cypress Memory Products Divison.
„ Die CellularRAM-Produktfamilie, die von führenden Speicher-Herstellern unterstützt wird, ist eine ideale Lösung für leistungsfähige Mobiltelefon-Applikationen“, sagte Dr. Ernst Strasser, Marketingleiter für Speciality-DRAM bei Infineon Technologies. „Um den Marktanforderungen nach spezifischen Lösungen gerecht zu werden, bieten wir CellularRAMs auch als Known-Good-Die (KGD)-Wafer an. Damit tragen wir dem Trend nach Multi-Chip-Package-Lösungen Rechnung.“
„ Die Architektur der CellularRAM ist unsere Antwort auf die Forderung der Mobiltelefon-Entwickler nach schnellen, effizienten und einfachen Designs mit einem leistungsfähigen Speicher-Subsystem“, sagte Mario Fazio, Direktor für strategisches Marketing für Wireless-Produkte bei Micron. „CellularRAMs sind eine ideale Ergänzung zu den populären schnellen Burst-Flash-Speichern. Die Kombination dieser beiden Speichertechnologien in einem Multi-Chip-Gehäuse verbessert einerseits die Systemleistungsfähigkeit, während andererseits die benötigte Boardfläche in Mobiltelefon-Designs reduziert wird.“
Das CellularRAM basiert auf einer DRAM-Speicherzelle mit einem Transistor im Gegensatz zu der sonst üblichen SRAM-Zelle mit sechs Transistoren, die entsprechend mehr Platz benötigt. Die Muster der 32-Mbit-CellularRAMs arbeiten mit bis zu 104 MHz, haben eine Latenzzeit von nur 70 ns und bieten eine Bandbreite von bis zu 208 MB/s (1,5 Gb/s). Die neuen Speicherbausteine emulieren gängige Burst-Schreib/ Lese-Modes, einschließlich der Intel W18 und Micron Flash Burst-kompatiblen Protokolle mit verschiedenen I/O-Spannungen.
Die 32-Mbit-Speicher sind zu 2 M x 16 organisiert, während die 16- und 64-Mbit-Versionen zu 1 M x 16 und 4 M x 16 organisiert sind. Zur Sicherung der Kompatibilität zwischen den verschiedenen Anbietern, analysieren und validieren jetzt die Entwicklungspartner die Muster der einzelnen Hersteller für eine abschließende Verifizierung.
Die beteiligten Unternehmen arbeiten bereits an der Definition der nächsten Generation der CellularRAM-Produktfamilie - einem 128-Mbit-Baustein, der für die zweite Jahreshälfte 2004 geplant ist.
Über Cypress
Cypress Semiconductor Corporation bietet fortschrittliche Connectivity-Lösungen von der „ersten bis zur letzten Meile“ für Personal-, Netzwerkzugangs-, Unternehmens- und Metro-Switch-Applikationen sowie Kommunikationssysteme. Die Cypress-Lösungen basieren auf drahtlosen, drahtgebundenen, digitalen und optischen Übertragungsstandards wie Bluetooth, USB, Fibre-Channel, SONET/SDH, Gigabit Ethernet sowie DWDM. Auf Grundlage ihres Prozess- und System-Know-hows fertigt Cypress industrieweit führende Physical-Layer-Devices, Framer und Netzwerk-Suchmaschinen zusammen mit einem breiten Spektrum an Speichern, Timing-Technologien und programmierbaren Mikrocontrollern. Weitere Informationen unter: www.cypress.com
Über Infineon
Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für die Automobil- und Industrieelektronik, für Anwendungen in der drahtgebundenen Kommunikation, sichere mobile Lösungen sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 30.400 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2002 (Ende September) einen Umsatz von 5,21 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com
Über Micron
Micron Technology, Inc. ist ein führender Anbieter von fortschrittlichen Halbleiter-Lösungen. Weltweit tätig, fertigt und vermarktet Micron DRAMs, Flashspeicher, CMOS-Bildsensoren und anderen Halbleiterkomponenten und Speichermodule für Anwendungen in Computer-, Netzwerk- und mobilen Applikationen. Micron wird an der New York Stock Exchange (NYSE) unter dem Symbol MU gehandelt. Weitere Informationen unter www.micron.com
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P.O. Box 80 09 49
D-81609 Muenchen
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Das gemeinsame Entwicklungs-Team von Cypress Semiconductor Corporation, Infineon Technologies und Micron Techology kündigte heute die Verfügbarkeit von CellularRAM-Musterbausteinen mit 32 Megabit für Mobiltelefone an. Es sind Versionen für den asynchronen als auch Burst-Mode verfügbar.
Letztes Jahr hatten die drei Unternehmen die gemeinsame Entwicklung der Spezifikation von CellularRAM für mehrere Produktgenerationen vereinbart. CellularRAMs sind Pseudo-SRAMs (PSRAMs) mit sehr geringer Leistungsaufnahme. Diese Speicherbausteine sind für die Speicher- und Bandbreiten-Anforderungen in zukünftigen 2.5G- und 3G-Mobiltelefonen ausgelegt und bieten eine geringere Kosten/Bit-Rate als herkömmliche Lösungen. CellularRAMs haben verschiedene Stromsparfunktionen implementiert. Mit identischer Spannungsversorgung, Gehäuse und Anschlußbelegung sind sie kompatibel zu Low-Power-SRAMs, die bisher in Mobiltelefon-Designs eingesetzt wurden. Durch diese kompatible Architektur wird ein einfacher Übergang von SRAM- zu CellularRAM-Produkten ermöglicht.
Die gemeinsame Entwicklung von Cypress, Infineon und Micron auf Basis einer gemeinsam erstellten Spezifikation bietet Kunden anschluss- und funktionskompatible Produkte von mehreren Lieferanten. Jedes Unternehmen fertigt die Produkte mit eigenen Design- und Prozess-Techniken sowie nach eigenem Produkteinführungsplan. Neben den 32-Mbit-Komponenten sind auch Versionen mit 16 und 64 Mbit Speicherkapazität geplant. Micron bemustert derzeit die 32-Mbit- und 64-Mbit-Speicher und plant die Volumenfertigung im 3. Quartal 2003. Auch von Infineon sind derzeit Muster mit 32 Mbit und 16 Mbit verfügbar, die Volumenfertigung ist ebenfalls für das 3. Quartal 2003 vorgesehen. Cypress will erste Muster ab der ersten Jahreshälfte 2004 liefern.
„ Die CellularRAM-Architektur bietet Entwicklern von Mobiltelefonen die Kombination aus hoher Performance und geringer Leistungsaufnahme, um neue Produktmerkmale bei geringen Kosten realisieren zu können“, sagte Pashupathy Gopalan, Marketingleiter der Cypress Memory Products Divison.
„ Die CellularRAM-Produktfamilie, die von führenden Speicher-Herstellern unterstützt wird, ist eine ideale Lösung für leistungsfähige Mobiltelefon-Applikationen“, sagte Dr. Ernst Strasser, Marketingleiter für Speciality-DRAM bei Infineon Technologies. „Um den Marktanforderungen nach spezifischen Lösungen gerecht zu werden, bieten wir CellularRAMs auch als Known-Good-Die (KGD)-Wafer an. Damit tragen wir dem Trend nach Multi-Chip-Package-Lösungen Rechnung.“
„ Die Architektur der CellularRAM ist unsere Antwort auf die Forderung der Mobiltelefon-Entwickler nach schnellen, effizienten und einfachen Designs mit einem leistungsfähigen Speicher-Subsystem“, sagte Mario Fazio, Direktor für strategisches Marketing für Wireless-Produkte bei Micron. „CellularRAMs sind eine ideale Ergänzung zu den populären schnellen Burst-Flash-Speichern. Die Kombination dieser beiden Speichertechnologien in einem Multi-Chip-Gehäuse verbessert einerseits die Systemleistungsfähigkeit, während andererseits die benötigte Boardfläche in Mobiltelefon-Designs reduziert wird.“
Das CellularRAM basiert auf einer DRAM-Speicherzelle mit einem Transistor im Gegensatz zu der sonst üblichen SRAM-Zelle mit sechs Transistoren, die entsprechend mehr Platz benötigt. Die Muster der 32-Mbit-CellularRAMs arbeiten mit bis zu 104 MHz, haben eine Latenzzeit von nur 70 ns und bieten eine Bandbreite von bis zu 208 MB/s (1,5 Gb/s). Die neuen Speicherbausteine emulieren gängige Burst-Schreib/ Lese-Modes, einschließlich der Intel W18 und Micron Flash Burst-kompatiblen Protokolle mit verschiedenen I/O-Spannungen.
Die 32-Mbit-Speicher sind zu 2 M x 16 organisiert, während die 16- und 64-Mbit-Versionen zu 1 M x 16 und 4 M x 16 organisiert sind. Zur Sicherung der Kompatibilität zwischen den verschiedenen Anbietern, analysieren und validieren jetzt die Entwicklungspartner die Muster der einzelnen Hersteller für eine abschließende Verifizierung.
Die beteiligten Unternehmen arbeiten bereits an der Definition der nächsten Generation der CellularRAM-Produktfamilie - einem 128-Mbit-Baustein, der für die zweite Jahreshälfte 2004 geplant ist.
Über Cypress
Cypress Semiconductor Corporation bietet fortschrittliche Connectivity-Lösungen von der „ersten bis zur letzten Meile“ für Personal-, Netzwerkzugangs-, Unternehmens- und Metro-Switch-Applikationen sowie Kommunikationssysteme. Die Cypress-Lösungen basieren auf drahtlosen, drahtgebundenen, digitalen und optischen Übertragungsstandards wie Bluetooth, USB, Fibre-Channel, SONET/SDH, Gigabit Ethernet sowie DWDM. Auf Grundlage ihres Prozess- und System-Know-hows fertigt Cypress industrieweit führende Physical-Layer-Devices, Framer und Netzwerk-Suchmaschinen zusammen mit einem breiten Spektrum an Speichern, Timing-Technologien und programmierbaren Mikrocontrollern. Weitere Informationen unter: www.cypress.com
Über Infineon
Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für die Automobil- und Industrieelektronik, für Anwendungen in der drahtgebundenen Kommunikation, sichere mobile Lösungen sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 30.400 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2002 (Ende September) einen Umsatz von 5,21 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com
Über Micron
Micron Technology, Inc. ist ein führender Anbieter von fortschrittlichen Halbleiter-Lösungen. Weltweit tätig, fertigt und vermarktet Micron DRAMs, Flashspeicher, CMOS-Bildsensoren und anderen Halbleiterkomponenten und Speichermodule für Anwendungen in Computer-, Netzwerk- und mobilen Applikationen. Micron wird an der New York Stock Exchange (NYSE) unter dem Symbol MU gehandelt. Weitere Informationen unter www.micron.com
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