Anlässlich der PCIM 2003 (Nürnberg, 20.-22. Mai 2003) stellt Infineon Technologies seine neuen Familien von Schaltnetzteil-Ansteuer-ICs, Hochvolt-Leistungs-MOSFETs und IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) vor, die die Entwicklung von kostengünstigen und sehr effizienten Stromversorgungen ermöglichen. Diese Halbleiter sind mit ihrer geringen Leistungsaufnahme, ihrem hohen Wirkungsgrad und ihren erweiterten Funktionalitäten prädestiniert für moderne, anspruchsvolle Stromversorgungs-Designs.
Moderne Stromversorgungs-Anwendungen sind einerseits durch Kriterien wie weiter reduzierte Leistungsaufnahme und höhere Effizienz für weniger Wärme und geringeren Energieverbrauch bzw. längere Batterie-Lebensdauer gekennzeichnet. Andererseits sollen die Geräte immer kleiner werden. Daher sind kompakte, zuverlässige Leistungsbauelemente mit hoher Leistungsdichte erforderlich. Mit der Vorstellung der neuen 500V CoolMOS-, F3-Schaltnetzteil-Ansteuer-IC- und HighSpeed2 IGBT-Familien trägt Infineon diesem Trend Rechnung und ermöglicht kleinere, leistungsfähige und effizientere Stromversorgungen.
Infineon hat seine Industriestandard setzende CoolMOS™-Familie um neue 500-Volt-Versionen erweitert, die gegenüber konventionellen 500V-Power-MOSFETs im gleichen Gehäuse eine deutlich höhere Leistung bieten. Darüber hinaus führt Infineon die dritte Generation (F3) seiner festfrequenten Schaltnetzteil-Ansteuer-ICs mit extrem geringer Standby-Leistungsaufnahme für innovative Schaltnetzteil-Designs ein. Platz- und Kostenersparnisse bringt auch die neue HighSpeed2 IGBT-Familie, in der die Vorteile von herkömmlichen IGBTs und MOSFETs kombiniert sind.
„ Neue Konzepte für ein intelligentes Energiemanagement in allen Lebens- und Industriebereichen ist eine der globalen Herausforderungen dieses Jahrhunderts. Der Leistungselektronik fällt hierbei die Schlüsselrolle zu“, sagte Dr. Reinhard Ploss, Leiter des Geschäftsbereiches Automobil- & Industrieelektronik bei Infineon.
„ Infineon gehört bei den Leistungshalbleitern zu den Marktführern und hält in diesem Bereich einen Technologievorsprung von rund 15 Monaten. Mit intelligenten Halbleiterkonzepten und innovativen Leistungshalbleitern und macht Infineon kompakte, stromsparende und damit umweltfreundliche Stromversorgungen möglich.“
Technische Informationen zu 500V CoolMOS-Leistungs-MOSFETs
Seine erfolgreichen Power-MOSFETs in der CoolMOS C3-Technologie hat Infineon jetzt um eine 500V-Produktfamilie erweitert. Der flächenspezifische Widerstand (RDSon x A) ist um den Faktor 3 kleiner als bei herkömmlichen MOSFETs, wodurch die Verlustleistung reduziert und der Wirkungsgrad der Applikation erhöht wird. Mit den neuen 500V-MOSFETs der CoolMOS C3-Familie können Schaltnetzteile weiter verkleinert und deutlich Energie gespart werden. Diese vorteilhaften Eigenschaften kommen besonders in elektronischen Lampenvorschaltgeräten, Adaptern für Notebooks und LCD-Displays sowie in kompakten Schaltnetzteilen für Server, PCs und Consumer-Elektronik zum Tragen. So betragen z. B. in einem 120-Watt-Adapter für Notebooks die Verluste eines 500V-Power-MOSFETS in Standardtechnologie (TO-220-Gehäuse) 5,4 Watt. Mit dem neuen 500V CoolMOS C3 (ebenfalls TO-220-Gehäuse) können die Gesamtverluste des MOSFETs um 45 Prozent auf 3 Watt gesenkt werden. Der Wirkungsgrad des Notebook-Adapters lässt sich dadurch um 2 Prozent von 90 Prozent auf 92 Prozent verbessern.
Technische Informationen zu Schaltnetzteil-Ansteuer-ICs für die CoolMOS F3- Familie
Mit der F3-Familie stellt Infineon bereits die dritte Generation festfrequenter Schaltnetzteil-Ansteuer-ICs vor. Die F3-Familie bietet ein umfangreiches Spektrum von zusätzlichen Schutz- und Energiesparfunktionen wie „Active Burst Mode“, eine integrierte, abschaltbare Anlaufstromquelle, eine Schutzschaltung bei kurzfristiger Überlast, wie sie beispielsweise bei Videorecordern oder DVD-Playern durch den Anlauf der internen Motoren auftritt, sowie ein erweitertes Fehlerschutz-Konzept. Durch den „Active Burst Mode“ und die abschaltbare Anlaufstromquelle wird die Leistungsaufnahme im Standby-Betrieb applikationsabhängig bis auf 100 mW reduziert.
Die Produkte der F3-Familie eigenen sich vor allem für den Einsatz in Anwendungen, die kompakte, leichte und kostengünstige Stromversorgungen mit hohem Wirkungsgrad sowie großer Zuverlässigkeit fordern. Zu diesen gehören beispielsweise LCD-Monitore, Adapter für Drucker und Notebooks, DVD-Abspielgeräte und Set-Top-Boxen sowie industrielle Hilfsstromversorgungen.
Der Einsatz von F3-Produkten verkürzt die Entwicklungszeit für Stromversorgungen, die den neuen EU-Richtlinien für elektronische Geräte hinsichtlich verringerter Leistungsaufnahme im Standby-Betrieb entsprechen sollen.
Schnelle und platzsparende IGBTs
Die neuen HighSpeed2-IGBTs von Infineon sind eine preiswerte Alternative für Hochspannungs-MOSFETs (1000 V oder mehr). Die neuen IGBTs können im besonders platzsparenden Gehäusen (DPak) untergebracht sein. Daraus können sich Kostenvorteile von etwa 15 Prozent ergeben. Durch den Einsatz der HighSpeed2-IGBTs in getakteten Netzteilen kann gegenüber linearen / passiven Stromversorgungen der Wirkungsgrad um bis zu 30 Prozent gesteigert werden. Die neuen IGBTs eignen sich besonders für den Einsatz in Lampenvorschaltgeräten, kompakten Schaltnetzteilen für Industrie- und Consumer-Anwendungen, sowie für Zeilenablenkschaltungen in CRT-Monitoren.
Preise und Verfügbarkeit
Die drei neuen Produktfamilien 500V CoolMOS C3, F3-Controller und HighSpeed2 IGBT sind ab sofort in hochvolumigen Stückzahlen verfügbar.
Der Stückpreis für den F3-Controller beträgt 0,57 Euro für Stückzahlen von zehn Tausend. Bei Stückzahlen von 50.000 liegt der Stückpreis für den HighSpeed2-IGBT mit 1200 V, 1A, DPAK (vergleichbar mit einem 1000V-MOSFET, 2 Ohm) unter 0,40 Euro. Der 500V CoolMOS C3 kostet bei Stückzahlen von 50.000 beispielsweise für einen 0,28 Ohm-Baustein im TO-220-Gehäuse unter 1 Euro.
Infineon präsentiert die neuen Leistungshalbleiter auf der Messe „PCIM 2003“ (20.-22. Mai 2003, Nürnberg) in Halle 12 auf Stand 501.
Informationen zu Infineons Leistungshalbleitern erhalten Sie unter www.infineon.com/igbt www.infineon.com/pwm www.infineon.com/coolmos www.infineon.com/power
Moderne Stromversorgungs-Anwendungen sind einerseits durch Kriterien wie weiter reduzierte Leistungsaufnahme und höhere Effizienz für weniger Wärme und geringeren Energieverbrauch bzw. längere Batterie-Lebensdauer gekennzeichnet. Andererseits sollen die Geräte immer kleiner werden. Daher sind kompakte, zuverlässige Leistungsbauelemente mit hoher Leistungsdichte erforderlich. Mit der Vorstellung der neuen 500V CoolMOS-, F3-Schaltnetzteil-Ansteuer-IC- und HighSpeed2 IGBT-Familien trägt Infineon diesem Trend Rechnung und ermöglicht kleinere, leistungsfähige und effizientere Stromversorgungen.
Infineon hat seine Industriestandard setzende CoolMOS™-Familie um neue 500-Volt-Versionen erweitert, die gegenüber konventionellen 500V-Power-MOSFETs im gleichen Gehäuse eine deutlich höhere Leistung bieten. Darüber hinaus führt Infineon die dritte Generation (F3) seiner festfrequenten Schaltnetzteil-Ansteuer-ICs mit extrem geringer Standby-Leistungsaufnahme für innovative Schaltnetzteil-Designs ein. Platz- und Kostenersparnisse bringt auch die neue HighSpeed2 IGBT-Familie, in der die Vorteile von herkömmlichen IGBTs und MOSFETs kombiniert sind.
„ Neue Konzepte für ein intelligentes Energiemanagement in allen Lebens- und Industriebereichen ist eine der globalen Herausforderungen dieses Jahrhunderts. Der Leistungselektronik fällt hierbei die Schlüsselrolle zu“, sagte Dr. Reinhard Ploss, Leiter des Geschäftsbereiches Automobil- & Industrieelektronik bei Infineon.
„ Infineon gehört bei den Leistungshalbleitern zu den Marktführern und hält in diesem Bereich einen Technologievorsprung von rund 15 Monaten. Mit intelligenten Halbleiterkonzepten und innovativen Leistungshalbleitern und macht Infineon kompakte, stromsparende und damit umweltfreundliche Stromversorgungen möglich.“
Technische Informationen zu 500V CoolMOS-Leistungs-MOSFETs
Seine erfolgreichen Power-MOSFETs in der CoolMOS C3-Technologie hat Infineon jetzt um eine 500V-Produktfamilie erweitert. Der flächenspezifische Widerstand (RDSon x A) ist um den Faktor 3 kleiner als bei herkömmlichen MOSFETs, wodurch die Verlustleistung reduziert und der Wirkungsgrad der Applikation erhöht wird. Mit den neuen 500V-MOSFETs der CoolMOS C3-Familie können Schaltnetzteile weiter verkleinert und deutlich Energie gespart werden. Diese vorteilhaften Eigenschaften kommen besonders in elektronischen Lampenvorschaltgeräten, Adaptern für Notebooks und LCD-Displays sowie in kompakten Schaltnetzteilen für Server, PCs und Consumer-Elektronik zum Tragen. So betragen z. B. in einem 120-Watt-Adapter für Notebooks die Verluste eines 500V-Power-MOSFETS in Standardtechnologie (TO-220-Gehäuse) 5,4 Watt. Mit dem neuen 500V CoolMOS C3 (ebenfalls TO-220-Gehäuse) können die Gesamtverluste des MOSFETs um 45 Prozent auf 3 Watt gesenkt werden. Der Wirkungsgrad des Notebook-Adapters lässt sich dadurch um 2 Prozent von 90 Prozent auf 92 Prozent verbessern.
Technische Informationen zu Schaltnetzteil-Ansteuer-ICs für die CoolMOS F3- Familie
Mit der F3-Familie stellt Infineon bereits die dritte Generation festfrequenter Schaltnetzteil-Ansteuer-ICs vor. Die F3-Familie bietet ein umfangreiches Spektrum von zusätzlichen Schutz- und Energiesparfunktionen wie „Active Burst Mode“, eine integrierte, abschaltbare Anlaufstromquelle, eine Schutzschaltung bei kurzfristiger Überlast, wie sie beispielsweise bei Videorecordern oder DVD-Playern durch den Anlauf der internen Motoren auftritt, sowie ein erweitertes Fehlerschutz-Konzept. Durch den „Active Burst Mode“ und die abschaltbare Anlaufstromquelle wird die Leistungsaufnahme im Standby-Betrieb applikationsabhängig bis auf 100 mW reduziert.
Die Produkte der F3-Familie eigenen sich vor allem für den Einsatz in Anwendungen, die kompakte, leichte und kostengünstige Stromversorgungen mit hohem Wirkungsgrad sowie großer Zuverlässigkeit fordern. Zu diesen gehören beispielsweise LCD-Monitore, Adapter für Drucker und Notebooks, DVD-Abspielgeräte und Set-Top-Boxen sowie industrielle Hilfsstromversorgungen.
Der Einsatz von F3-Produkten verkürzt die Entwicklungszeit für Stromversorgungen, die den neuen EU-Richtlinien für elektronische Geräte hinsichtlich verringerter Leistungsaufnahme im Standby-Betrieb entsprechen sollen.
Schnelle und platzsparende IGBTs
Die neuen HighSpeed2-IGBTs von Infineon sind eine preiswerte Alternative für Hochspannungs-MOSFETs (1000 V oder mehr). Die neuen IGBTs können im besonders platzsparenden Gehäusen (DPak) untergebracht sein. Daraus können sich Kostenvorteile von etwa 15 Prozent ergeben. Durch den Einsatz der HighSpeed2-IGBTs in getakteten Netzteilen kann gegenüber linearen / passiven Stromversorgungen der Wirkungsgrad um bis zu 30 Prozent gesteigert werden. Die neuen IGBTs eignen sich besonders für den Einsatz in Lampenvorschaltgeräten, kompakten Schaltnetzteilen für Industrie- und Consumer-Anwendungen, sowie für Zeilenablenkschaltungen in CRT-Monitoren.
Preise und Verfügbarkeit
Die drei neuen Produktfamilien 500V CoolMOS C3, F3-Controller und HighSpeed2 IGBT sind ab sofort in hochvolumigen Stückzahlen verfügbar.
Der Stückpreis für den F3-Controller beträgt 0,57 Euro für Stückzahlen von zehn Tausend. Bei Stückzahlen von 50.000 liegt der Stückpreis für den HighSpeed2-IGBT mit 1200 V, 1A, DPAK (vergleichbar mit einem 1000V-MOSFET, 2 Ohm) unter 0,40 Euro. Der 500V CoolMOS C3 kostet bei Stückzahlen von 50.000 beispielsweise für einen 0,28 Ohm-Baustein im TO-220-Gehäuse unter 1 Euro.
Infineon präsentiert die neuen Leistungshalbleiter auf der Messe „PCIM 2003“ (20.-22. Mai 2003, Nürnberg) in Halle 12 auf Stand 501.
Informationen zu Infineons Leistungshalbleitern erhalten Sie unter www.infineon.com/igbt www.infineon.com/pwm www.infineon.com/coolmos www.infineon.com/power
