Das Produktportfolio umfasst Silizium und InGaAs Photodioden. Eine große Auswahl von Detektorflächen inkl. verbesserter Empfindlichkeit mit bzw. ohne „On-Chip“ Vorverstärker sind verfügbar. Der Wellenlängenbereich erstreckt sich von 190 nm bis 2500 nm. Um den zunehmend spezifischen Kundenanforderungen zu genügen, werden TO-Gehäuse verwendet - auch Sonderanfertigungen verschiedenster Art werden in kurzer Zeit realisiert. Zu ihren weiteren Merkmalen gehört die hervorragende Linearität und das Signal-Rauschverhältnis, die lange Lebensdauer, mechanische Robustheit, Reproduzierbarkeit und die kompakte Bauart. Die Photodioden eignen sich hervorragend für den Einsatz in der Analytik, optischen Signalübertragung, Spektrometrie und dem Nachweis von Röntgenstrahlung sowie Barcode-Scanning.
Wir freuen uns auf Ihren Messe-Besuch: LASER World of PHOTONICS, München, 23.-26. Mai 2011, Halle B1 / Stand 421