Wesentliche Verbesserungen sind eine engere Prozessführung, eine verlängerte Lebensdauer und ein vergrößerter HotSpot. Insbesondere hat sich bei Wellenlängen über 4,5 μm das Signal um etwa 30% erhöht.
Das Diagramm zeigt eine Beispielmessung für die Modulationstiefe in Abhängigkeit von der Pulsfrequenz. Gemessen wurde mit einer extended InGaAs Fotodiode des Typs IG26X250S4i.
Weitere Informationen http://www.lasercomponents.com/...
Messen
BiOS 2014, 01. - 02.02.2014, The Moscone Center, San Francisco, USA, Stand 8517
Photonics West 2014, 04. - 06.02.2014, The Moscone Center, San Francisco, USA, Stand 517
analytica 2014, 01. - 04.04.2014, Neue Messe München, Stand A2.400A
Optatec 2014, 20. - 22.05.2014, Messe Frankfurt
Sensor + Test 2014, 03. - 05.06.2014, Messe Nürnberg, Stand 12.117