Am Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung in Leipzig ist im Rahmen einer Nachwuchsforschergruppe zum Thema „Schalten mit Licht“ die Stelle eines/ einer wissenschaftlichen Mitarbeiters (m/w) auf dem Gebiet der „Analytische Elektronenmikroskopie von Phasenwechselmaterialien“ ab sofort zu besetzen.
Aufgaben/Zielstellung:
In diesem Projekt sollen Strukturcharakterisierung und Analytik an mittels Pulslaserdeposition auf einem Substrat deponierte, dünne Schichten von Ge-Sb-Te basierten Phasenwechselmaterialien durchgeführt werden. Besonderes Interesse gilt dabei der Aufklärung der Realstruktur von dünnen Ge-Te-Sb Schichten und der Schicht/Substrat-Grenzflächen auf atomarer Ebene. Dabei sollen die Korrelation zwischen dem Schichtwachstum und dem optisch induzierten Schaltverhalten und der atomaren Struktur der Schichten bzw. Grenzflächen aufgeklärt werden. Ebenfalls geplant sind in-situ-Beobachtungen der Phasenumwandlung von Ge-Sb-Te Materialien durch in-situ Experimente im Elektronenmikroskop.
Qualifikationsanforderungen:
- Abgeschlossenes Hochschulstudium in Physik, Kristallographie oder Materialwissenschaften (mit Master- oder Diplomabschluss)
- Kenntnisse und Erfahrungen auf mindestens einem der folgenden Fachgebiete: Elektronenmikroskopie, dünne Schichten, Röntgenbeugung, Nanotechnologie
- Englischkenntnisse in Wort und Schrift zur wissenschaftlichen Kommunikation Programmierkenntnisse wünschenswert
Entgelt:
Die Vergütung erfolgt nach TV-Ländern, Entgeltgruppe 13, befristet auf 3 Jahre.
Arbeitszeit:
Die Arbeitszeit richtet sich nach den Bestimmungen des TV-L und beträgt bei dieser Stelle 20 h/Woche (1/2-Stelle).
Aufgaben/Zielstellung:
In diesem Projekt sollen Strukturcharakterisierung und Analytik an mittels Pulslaserdeposition auf einem Substrat deponierte, dünne Schichten von Ge-Sb-Te basierten Phasenwechselmaterialien durchgeführt werden. Besonderes Interesse gilt dabei der Aufklärung der Realstruktur von dünnen Ge-Te-Sb Schichten und der Schicht/Substrat-Grenzflächen auf atomarer Ebene. Dabei sollen die Korrelation zwischen dem Schichtwachstum und dem optisch induzierten Schaltverhalten und der atomaren Struktur der Schichten bzw. Grenzflächen aufgeklärt werden. Ebenfalls geplant sind in-situ-Beobachtungen der Phasenumwandlung von Ge-Sb-Te Materialien durch in-situ Experimente im Elektronenmikroskop.
Qualifikationsanforderungen:
- Abgeschlossenes Hochschulstudium in Physik, Kristallographie oder Materialwissenschaften (mit Master- oder Diplomabschluss)
- Kenntnisse und Erfahrungen auf mindestens einem der folgenden Fachgebiete: Elektronenmikroskopie, dünne Schichten, Röntgenbeugung, Nanotechnologie
- Englischkenntnisse in Wort und Schrift zur wissenschaftlichen Kommunikation Programmierkenntnisse wünschenswert
Entgelt:
Die Vergütung erfolgt nach TV-Ländern, Entgeltgruppe 13, befristet auf 3 Jahre.
Arbeitszeit:
Die Arbeitszeit richtet sich nach den Bestimmungen des TV-L und beträgt bei dieser Stelle 20 h/Woche (1/2-Stelle).
