Der LTC2335-18 verfügt über eine hochgenaue interne Referenz mit einem Temperaturkoeffizienten von max. 20ppm/°C und einen internen Referenzbuffer für hochgenaue One-Shot‑Messungen, das spart Leiterplattenfläche. Bei Bedarf kann der Analog-Eingangsspannungsbereich durch Verwendung einer externen 5V-Referenz auf ±12,5V erweitert werden. Bei voller Abtastrate von 1Msps hat der ADC eine Leistungsaufnahme von 180mW. Der Chip verfügt über Nap- und Power-Down-Modi zur Reduktion der Leistungsaufnahme bei verringerter Abtastrate.
Der LTC2335-18 besitzt serielle SPI-CMOS- und LVDS-Schnittstellen; die Wahl der Schnittstelle erfolgt per Pin. Durch den großen Digital-Ausgangsspannungsbereich ist der ADC ausgangsseitig mit allen CMOS-Logikpegeln zwischen 1,8V und 5V kompatibel. Der serielle LVDS-Modus ermöglicht eine störungsarme Hochgeschwindigkeitskommunikation mittels differenzieller Signale über größere Entfernungen hinweg. Dank der beiden I/O-Schnittstellen kann der LTC2335-18 sowohl mit älteren Mikrocontrollern als auch mit aktuellen FPGAs kommunizieren.
Der LTC2335-18 ergänzt eine Familie von Mehrkanal-Hochleistungs-18-/16-bit-SAR-ADCs mit echt-bipolaren, simultan abgetasteten ±10,24V-Eingängen. Alle Spezifikationen werden für den erweiterten Temperaturbereich von –40°C bis +125°C garantiert. Der LTC2335-18 ist ab sofort in einem 48-poligen, 7mm x 7mm großen LQFP-Gehäuse erhältlich.
Die wichtigsten Leistungsmerkmale: LTC2335-18
- 1Msps Durchsatz
- Acht gemultiplexte Eingangskanäle
- ±3LSB INL (maximal, ±10,24V-Bereich)
- Garantierte Auflösung 18 bit, keine fehlenden Codes
- Differenzielle Eingänge mit großem Gleichtaktspannungsbereich
- Individuell wählbare SoftSpan Eingangsbereiche:
- ±10,24V; 0V bis 10,24V; ±5,12V; 0V bis 5,12V
- ±12,5V; 0V bis 12,5V; ±6,25V; 0V bis 6,25V
- 96,7dB (typ.) SNR (One-Shot-Umsetzung)
- Integrierte Referenz mit Puffer
- Eingang für externe Referenzspannung von 2,5V bis 5V
- Latenzfrei programmierbarer Sequencer
- Serielle I/O-Schnittstellen: SPI CMOS (1,8V bis 5V) und LVDS
- Leistungsaufnahme: 180mW (typ.)
- 48-poliges, 7mm x 7mm großes LQFP-Gehäuse