Die Trilogie der Induktiven Bauelemente ist wie folgt gegliedert: „Grundlagen“ – hier geben die wichtigsten Gesetze und Grundlagen der induktiven Bauelemente, Ersatzschaltbilder und Simulationsmodelle dem Leser einen Überblick über die Elektronikgrundkenntnisse im Themenkomplex. „Bauelemente“ – in diesem Abschnitt werden induktive Bauelemente mit ihren besonderen Eigenschaften und Einsatzbereichen vorgestellt: EMV-Komponenten, Induktivitäten, Transformatoren, HF-Komponenten, Überspannungsschutz, Abschirmmaterialien und Kondensatoren. Im Abschnitt „Anwendungen“ findet der Leser schließlich einen umfassenden Überblick über die Prinzipien von Filterschaltungen, und zahlreichen industriellen Anwendungen, die anhand von Originalbeispielen ausführlich erläutert werden.
Neue Schwerpunkte
Neben den wichtigen Grundlagen der induktiven Bauelemente wird in der 5. und überarbeiteten Auflage auch das Thema Simulation vertieft behandelt. Die Theorie aus anderen Abschnitten ist zur besseren Verständlichkeit nun in diesem Kapitel zusammengeführt. Dazu gehören Filtergrundlagen, die um Anwendungen in höheren Frequenzbereichen erweitert wurden, Transformatorenersatzschaltkreise, Ethernet- und Power-over-Ethernet-Anschlüsse, Grundlagen des Schaltnetzteils und der drahtlosen Leistungsübertragung sowie RF-Basics. „Induktive Bauelemente, ob nun zur Spannungswandlung, Filterung oder zum Sicherstellen der EMV, sind alles andere als trivial und bereiten vielen Entwicklern Kopfzerbrechen. Diese weitverbreitete Unsicherheit und der häufig fehlende praktische Ansatz in der Ausbildung zur Auswahl und Verwendung von induktiven Bauelementen war für uns der Anlass, ein Fachbuch zu schreiben. Der große Erfolg und die immense Beliebtheit unseres Applikationshandbuchs Trilogie der Induktiven Bauelemente zeigen, dass wir hier richtig lagen“, freut sich Autor Alexander Gerfer, CTO der Würth Elektronik eiSos Gruppe. „Verschiedene Kapitel haben wir erweitert oder neue hinzugefügt, um der wachsenden Bedeutung von Themen wie der drahtlosen Energieübertragung, RF, Energy Harvesting und den neuen SiC(Siliziumkarbid)- und GaN(Galliumnitrid)-Schalttransistoren Raum zu geben. Zusätzlich werden Informationen zu Skin- und Proximity-Effekt sowie AC-Verlusten bereitgestellt.“