Mit der WE-AGDT-Serie wird ein neuer SMT-bestückbarer Übertrager verfügbar, der zugleich Bestandteil einer von Würth Elektronik entwickelten Stromversorgungslösung für die anspruchsvolle Gate-Ansteuerung von SiC-MOSFET ist. Der innovative WE-AGDT ist ein kompakter Transformator im EP7-Gehäuse, der sich durch einen großen Eingangsspannungsbereich von 9 bis 36 V und einen hohen Sättigungsstrom von 4,5 A auszeichnet sowie eine sehr niedrige Streuinduktivität und mit 6,8 pF ebenfalls eine sehr geringe Kapazität zwischen den Wicklungen aufweist. Die ermöglicht eine hohe Common-mode Transient Immunity (CMTI) des Gate-Treiber Systems.
Die WE-AGDT-Serie umfasst sechs Transformatoren, die jeweils für ihr entsprechendes Referenzdesign optimiert sind. Sie ermöglichen wegen ihrer zwei getrennten Sekundärwicklungen sowohl bipolare (+15 V, -4 V) als auch unipolare (+15 V bis +20 V, 0 V) Ausgangsspannungen. Mit einer Eingangsspannung von 9 bis 36 V ist eine maximale Ausgangsleistung von 3 bis 6 W erreichbar. Die WE-AGDT Transformatoren sind für SiC-Anwendungen optimiert, eignen sich aber ebenfalls für die optimale Ansteuerung von IGBT- und Leistungs-MOSFETs, und mit einem entsprechenden DC-DC-Konverter sogar für Hochspannungs-GaN-FETs. Das Referenzdesign von Würth Elektronik für einen kompakten, galvanisch isolierten DC/DC-Wandler für SiC-MOSFET-Gate-Treiber ist unter (www.we-online.com/RD001) verfügbar.
WE-AGDT – Auxiliary Gate Drive Transformer
„Mit der zunehmenden Verbreitung von Leistungshalbleiterbauelementen in Siliziumkarbidtechnologie, die mit Schaltfrequenzen über 100 kHz arbeiten, werden die Anforderungen an ihre Gate-Ansteuerung immer anspruchsvoller. Wir haben mit der WE-AGDT-Serie und dem dazugehörigen Referenzdesign eine ebenso innovative wie zuverlässige Lösung entwickelt, die es Entwicklern ermöglicht, auf einfache Weise eine kompakte, effiziente und flexible Versorgung mit bis zu 6 W Ausgangsleistung zu realisieren“, sagt Eleazar Falco, Application Engineer bei Würth Elektronik eiSos.
WE-AGDT ist ab sofort ohne Mindestbestellmenge ab Lager verfügbar. Auf Wunsch werden Entwicklern auch kostenlose Muster gestellt.
Weitere Informationen unter www.we-online.de/agdt
Die WE-AGDT-Serie umfasst sechs Transformatoren, die jeweils für ihr entsprechendes Referenzdesign optimiert sind. Sie ermöglichen wegen ihrer zwei getrennten Sekundärwicklungen sowohl bipolare (+15 V, -4 V) als auch unipolare (+15 V bis +20 V, 0 V) Ausgangsspannungen. Mit einer Eingangsspannung von 9 bis 36 V ist eine maximale Ausgangsleistung von 3 bis 6 W erreichbar. Die WE-AGDT Transformatoren sind für SiC-Anwendungen optimiert, eignen sich aber ebenfalls für die optimale Ansteuerung von IGBT- und Leistungs-MOSFETs, und mit einem entsprechenden DC-DC-Konverter sogar für Hochspannungs-GaN-FETs. Das Referenzdesign von Würth Elektronik für einen kompakten, galvanisch isolierten DC/DC-Wandler für SiC-MOSFET-Gate-Treiber ist unter (www.we-online.com/RD001) verfügbar.
WE-AGDT – Auxiliary Gate Drive Transformer
„Mit der zunehmenden Verbreitung von Leistungshalbleiterbauelementen in Siliziumkarbidtechnologie, die mit Schaltfrequenzen über 100 kHz arbeiten, werden die Anforderungen an ihre Gate-Ansteuerung immer anspruchsvoller. Wir haben mit der WE-AGDT-Serie und dem dazugehörigen Referenzdesign eine ebenso innovative wie zuverlässige Lösung entwickelt, die es Entwicklern ermöglicht, auf einfache Weise eine kompakte, effiziente und flexible Versorgung mit bis zu 6 W Ausgangsleistung zu realisieren“, sagt Eleazar Falco, Application Engineer bei Würth Elektronik eiSos.
WE-AGDT ist ab sofort ohne Mindestbestellmenge ab Lager verfügbar. Auf Wunsch werden Entwicklern auch kostenlose Muster gestellt.
Weitere Informationen unter www.we-online.de/agdt
